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1. HVPE异质外延GaN的函数控制方法研究

杜彦浩,罗伟科,吴洁君, John Goldsmith, 韩彤,杨志坚,于彤军, 张国义

北京大学学报（自然科学版）

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2. 应用Mg离子注入获得高表面空穴载流子浓度P-型GaN

龙涛,杨志坚,张国义

北京大学学报（自然科学版）

摘要（690）

应用Mg离子注入MOCVD法生长掺杂Mg的GaN中，在经过800℃, 1h的退火后，获得高空穴载流子浓度(8.28×10¹⁷cm^-3)的P-型GaN。首次报道了实验上通过Mg离子注入到Mg生长掺杂的GaN中并获得高的表面空穴载流子浓度。

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